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SiC·GaN 이중펄스(DPT)용 고전압 DC 버스 전원 — 선정 포인트

양방향 회생 파워 시스템 랙

SiC·GaN 이중펄스 시험(DPT)에서 쓰는 고전압 DC 버스 전원은 “펄스를 쏘는 장비”가 아닙니다. 펄스 에너지는 버스 커패시터가 내고, 전원은 샷 사이에 전압을 빠르고 조용히 재충전하는 역할입니다.

이 글 범위: WBG(SiC/GaN) DPT용 버스 전원 스펙만.
관련 글: 일반 R&D 전원은 DC 파워서플라이 선정. 자동화는 자동측정 프로그램. 이론 심화는 네이버 블로그.

Q. 버스 전압은 얼마로 잡나요?

A. 보통 디바이스 정격 VDS의 약 50~80%에서 특성화합니다. 예: 650 V GaN → 버스 ~400 V(전원 500 V+), 1200 V SiC → 800~1000 V(전원 1000~1500 V), 1700 V → 1200~1400 V, 3300 V 모듈 → 2500 V대.

꼭 보는 스펙

  • 저 리플·안정 — 손실 측정값이 전원 노이즈에 오염되지 않게
  • 재충전·회복 — 샷 사이 설정 전압 복귀
  • 분해능·슬루 — 전압 스윕(400/600/800/1000 V…) 자동화
  • SCPI/LAN — 펄스발생기·스코프와 동일 시퀀스

견적 때 알려줄 것

  • 디바이스 정격(V/A), 목표 버스 전압 범위
  • 샷 반복률·커패시터 규모(알면)
  • 자동화(SCPI) 필요 여부

문의 — 울트라시스템

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